欣達電子：控制原子排列的薄膜開關
    薄膜開關一般采用高精密度膜厚度測定儀，以0. 1人一1人/秒慢速度進行蒸汽沉積，就可能在垂直方向以原子水平合成可控制結(jié)構(gòu)物質(zhì)。特別對于不同成分的薄膜開關能以不到幾十人厚度進行有規(guī)則堆積的多層化物質(zhì)，從而能得到按人為規(guī)律設計的物質(zhì)—人造晶格物質(zhì)。人造晶格與半導體電子工業(yè)有著密切關系，曾利用分子束外延法等進行研究，十分活躍。采用真空蒸汽沉法也可制成人工晶格膜.
    人工晶格可分成二大類。一類是沉積層物質(zhì)具有各自大小和同一結(jié)構(gòu)(以結(jié)晶或無定形)作為沉積層薄膜開關整體，制成人為周期性結(jié)構(gòu)組成的膜。另一類是周期性沉積層物質(zhì)不完全是新的結(jié)構(gòu)。
　　用真空蒸汽沉積法合成氧化物人工晶格的例子有CoO/NiO沉積層，NiO/Fe3 0;沉積層和CoO/Fe3O:沉積層以大于100人為周期沉積層膜，各自具有不同大小和同樣結(jié)構(gòu)的多層膜。以小于幾十入為周期制成具有不同大小和不同品格常數(shù)的新結(jié)構(gòu)人工晶格膜。用真空蒸汽沉積法還制得了Fe/Sb沉積層和Fe/Mg沉積層的人工金屬晶格膜。